SI3451DV-T1-E3 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk SI3451DV-T1-E3, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk SI3451DV-T1-E3 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli SI3451DV-T1-E3 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
SI3451DV-T1-E3
- Nomor bagian:
- SI3451DV-T1-E3
- Pabrikan:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Deskripsi:
- MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 58310 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- SI3451DV-T1-E3.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | 6-TSOP |
| Seri: | TrenchFET® |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 115 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Power Disipasi (Max): | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
| Pengemasan: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Nama lain: | SI3451DV-T1-E3TR |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 250pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.1nC @ 5V |
| FET Jenis: | P-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 2.5V, 4.5V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 20V |
| Detil Deskripsi: | P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 2.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk SI3451DV-T1-E3
Latest Berita
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS
- Pabrik chip besar dipengaruhi oleh gempa bumi: TSMC berhenti bekerja segera, memperburuk pasokan GPU dalam pasokan pendek?
- Memori nand flash berlanjut, mcu destocking bount benar
- Di bawah outlet AI Air, dua raksasa chip utama "tidak kuat": menghancurkan uang untuk memecahkan permainan, bertaruh pada 2025 pertempuran tim