Az SI3451DV-T1-E3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SI3451DV-T1-E3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSI3451DV-T1-E3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SI3451DV-T1-E3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
SI3451DV-T1-E3
- Cikkszám:
- SI3451DV-T1-E3
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 58310 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- SI3451DV-T1-E3.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | 6-TSOP |
| Sorozat: | TrenchFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 115 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Más nevek: | SI3451DV-T1-E3TR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 10V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.1nC @ 5V |
| FET típus: | P-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 2.5V, 4.5V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 20V |
| Részletes leírás: | P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 2.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SI3451DV-T1-E3-hoz
Latest News
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket
- Ruisa elindította az új RA0 sorozat Ultra -low Power Entry -szintű MCU -t
- A Melexis egy teljes integrált induktor kapcsoló chipet indít
- Az X-PAB bemutatja a képérzékelő háttámlájának megvilágítási technológiáját a CMOS érzékelő teljesítményének javítása érdekében
- A nagy chipgyárat a földrengés sújtotta: a TSMC sürgősen abbahagyta a munkát, és hiányzott a GPU -ellátás hiánya?
- A NAND Flash memória folytatódik, az MCU Destocking Bottom igaza van
- Az AI légiközlekedési outlet alatt a két fő chip -óriás "nem erős": a játék megtöréséhez a pénz összetörése, a 2025 -ös csapat csatákra fogadáshoz.
- A Toshiba elindítja a SmartMcd Series Gate Driver IC -t beágyazott mikrovezérlővel
- Samsung: nézzen szembe a két fő terület kihívásával, gyűjtsön pénzt a helyzet megsértésére
- Az érett margin öntöde ismét csökkenti az árat, a Samsung független az Nvidia HBM3E memóriától