SI3451DV-T1-E3 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para SI3451DV-T1-E3, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para SI3451DV-T1-E3 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre SI3451DV-T1-E3 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
SI3451DV-T1-E3
- Número de pieza:
- SI3451DV-T1-E3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 58310 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SI3451DV-T1-E3.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 6-TSOP |
| Serie: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 115 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Otros nombres: | SI3451DV-T1-E3TR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 5.1nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SI3451DV-T1-E3
Latest Noticias
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo
- X-FAB presenta la tecnología de iluminación del sensor de imágenes para mejorar el rendimiento del sensor CMOS
- La gran fábrica de chips se vio afectada por el terremoto: ¿TSMC dejó de funcionar con urgencia, exacerbando el suministro de GPU en escasez de suministro?
- La memoria flash nand continúa, MCU Destocking Bottom es correcto
- Debajo de la salida aérea de AI, los dos gigantes de chips principales son "no fuertes": destrozar el dinero para romper el juego, apostar en 2025 batallas de equipo
- Toshiba lanza IC del controlador de la puerta de la serie SmartMCD con microcontrolador integrado
- Samsung: enfrenta el desafío de las dos áreas principales, recaudar fondos para romper la situación
- La fundición del margen maduro reduce el precio nuevamente, Samsung es independiente de la memoria NVIDIA HBM3E