SI3451DV-T1-E3
SI3451DV-T1-E3
Modèle de produit:
SI3451DV-T1-E3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
58310 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
SI3451DV-T1-E3.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:6-TSOP
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:115 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms:SI3451DV-T1-E3TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:5.1nC @ 5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.8A (Tc)
Email:[email protected]

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