SI8429DB-T1-E1
SI8429DB-T1-E1
型號:
SI8429DB-T1-E1
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
38010 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
SI8429DB-T1-E1.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:800mV @ 250µA
Vgs(最大):±5V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:4-Microfoot
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:35 mOhm @ 1A, 4.5V
功率耗散(最大):2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:4-XFBGA, CSPBGA
其他名稱:SI8429DB-T1-E1TR
SI8429DBT1E1
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:33 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1640pF @ 4V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:26nC @ 5V
FET型:P-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):1.2V, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):8V
詳細說明:P-Channel 8V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
電流 - 25°C連續排水(Id):11.7A (Tc)
Email:[email protected]

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