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SI8429DB-T1-E1
- 제품 모델:
- SI8429DB-T1-E1
- 기술:
- MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
- 무연 상태:
- 무연 / RoHS 준수
- 재고 수량:
- 38010 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- SI8429DB-T1-E1.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 800mV @ 250µA |
| Vgs (최대): | ±5V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | 4-Microfoot |
| 연속: | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 35 mOhm @ 1A, 4.5V |
| 전력 소비 (최대): | 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | 4-XFBGA, CSPBGA |
| 다른 이름들: | SI8429DB-T1-E1TR SI8429DBT1E1 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 33 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1640pF @ 4V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 26nC @ 5V |
| FET 유형: | P-Channel |
| FET 특징: | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 8V |
| 상세 설명: | P-Channel 8V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 11.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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