SI8429DB-T1-E1 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SI8429DB-T1-E1, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SI8429DB-T1-E1 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SI8429DB-T1-E1 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
SI8429DB-T1-E1
- Part Number:
- SI8429DB-T1-E1
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 38010 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SI8429DB-T1-E1.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 800mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±5V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | 4-Microfoot |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Ztráta energie (Max): | 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Ostatní jména: | SI8429DB-T1-E1TR SI8429DBT1E1 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 33 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1640pF @ 4V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 1.2V, 4.5V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 8V |
| Detailní popis: | P-Channel 8V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 11.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SI8429DB-T1-E1
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?