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SI8429DB-T1-E1
- Artikelnummer:
- SI8429DB-T1-E1
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 38010 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SI8429DB-T1-E1.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±5V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 4-Microfoot |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Andere Namen: | SI8429DB-T1-E1TR SI8429DBT1E1 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 33 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1640pF @ 4V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 8V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 8V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 11.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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