SI3590DV-T1-GE3
SI3590DV-T1-GE3
型號:
SI3590DV-T1-GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
25715 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
SI3590DV-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:1.5V @ 250µA
供應商設備封裝:6-TSOP
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:77 mOhm @ 3A, 4.5V
功率 - 最大:830mW
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
其他名稱:SI3590DV-T1-GE3CT
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:33 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:-
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:4.5nC @ 4.5V
FET型:N and P-Channel
FET特點:Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss):30V
詳細說明:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
電流 - 25°C連續排水(Id):2.5A, 1.7A
Email:[email protected]

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