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SI3590DV-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI3590DV-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 25715 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SI3590DV-T1-GE3.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 6-TSOP |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 77 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 830mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Autres noms: | SI3590DV-T1-GE3CT |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 33 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.5nC @ 4.5V |
| type de FET: | N and P-Channel |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2.5A, 1.7A |
| Email: | [email protected] |
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