SI3590DV-T1-GE3
SI3590DV-T1-GE3
Numero ng Bahagi:
SI3590DV-T1-GE3
Manufacturer:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Paglalarawan:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
Lead Free Status:
Lead libreng / RoHS compliant
Stock Quantity:
25715 Pieces
Oras ng paghatid:
1-2 days
Lead oras:
4-8 weeks
Data sheet:
SI3590DV-T1-GE3.pdf

pagpapakilala

SI3590DV-T1-GE3 ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa SI3590DV-T1-GE3, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa SI3590DV-T1-GE3 sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng SI3590DV-T1-GE3 sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].

Mga pagtutukoy

Kondisyon New & Original, tested
Bansang pinagmulan Contact us
Pagmarka ng Code Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Supplier aparato Package:6-TSOP
serye:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:77 mOhm @ 3A, 4.5V
Power - Max:830mW
packaging:Cut Tape (CT)
Package / Kaso:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ibang pangalan:SI3590DV-T1-GE3CT
operating Temperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
Salalayan Type:Surface Mount
Ang Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Tagagawa Standard Lead Time:33 Weeks
Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4.5nC @ 4.5V
Type FET:N and P-Channel
FET Tampok:Logic Level Gate
Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss):30V
Detalyadong Paglalarawan:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C:2.5A, 1.7A
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Numero ng Bahagi
Dami
Kumpanya
E-mail
Telepono
Mga komento