SI3586DV-T1-E3
SI3586DV-T1-E3
型號:
SI3586DV-T1-E3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
58861 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
SI3586DV-T1-E3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
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VGS(TH)(最大)@標識:1.1V @ 250µA
供應商設備封裝:6-TSOP
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
功率 - 最大:830mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
其他名稱:SI3586DV-T1-E3TR
SI3586DVT1E3
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:-
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:6nC @ 4.5V
FET型:N and P-Channel
FET特點:Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss):20V
詳細說明:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP
電流 - 25°C連續排水(Id):2.9A, 2.1A
基礎部件號:SI3586
Email:[email protected]

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