SI3586DV-T1-E3 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk SI3586DV-T1-E3, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk SI3586DV-T1-E3 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli SI3586DV-T1-E3 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
SI3586DV-T1-E3
- Nomor bagian:
- SI3586DV-T1-E3
- Pabrikan:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Deskripsi:
- MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 58861 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- SI3586DV-T1-E3.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 250µA |
| Paket Perangkat pemasok: | 6-TSOP |
| Seri: | TrenchFET® |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Listrik - Max: | 830mW |
| Pengemasan: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Nama lain: | SI3586DV-T1-E3TR SI3586DVT1E3 |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| FET Jenis: | N and P-Channel |
| Fitur FET: | Logic Level Gate |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 20V |
| Detil Deskripsi: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 2.9A, 2.1A |
| Nomor Bagian Dasar: | SI3586 |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk SI3586DV-T1-E3
Latest Berita
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS