ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT20GN60BG
APT20GN60BG
APT20GN60BG
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT20GN60BG
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 600V 40A 136W TO247
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
25546 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.APT20GN60BG.pdf2.APT20GN60BG.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT20GN60BG พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT20GN60BG เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT20GN60BG ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT20GN60BG ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:1.9V @ 15V, 20A
ทดสอบสภาพ:400V, 20A, 4.3 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:9ns/140ns
การสลับพลังงาน:230µJ (on), 580µJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247 [B]
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:136W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:Trench Field Stop
ค่าใช้จ่ายประตู:120nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 136W Through Hole TO-247 [B]
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):60A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):40A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT20GN60BG

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT20F50S Image APT20F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK การสอบสวน
APT20M22B2VFRG Image APT20M22B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX การสอบสวน
APT20M11JVR Image APT20M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 การสอบสวน
APT20M22B2VRG Image APT20M22B2VRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX การสอบสวน
APT20GF120BRDQ1G Image APT20GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 36A 200W TO247 การสอบสวน
APT20GN60BDQ1G Image APT20GN60BDQ1G Microsemi IGBT 600V 40A 136W TO247 การสอบสวน
APT20DC120HJ Image APT20DC120HJ Microsemi RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 การสอบสวน
APT20F50B Image APT20F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 การสอบสวน
APT20M22JVRU2 Image APT20M22JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 การสอบสวน
APT20M120JCU3 Image APT20M120JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 การสอบสวน
APT20M120JCU2 Image APT20M120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 การสอบสวน
APT2012P3BT Image APT2012P3BT Kingbright PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD การสอบสวน
APT20M19JVR Image APT20M19JVR Microsemi MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 การสอบสวน
APT200GT60JR Image APT200GT60JR Microsemi IGBT 600V 195A ISOTOP การสอบสวน
APT200GN60JG Image APT200GN60JG Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 การสอบสวน
APT20M11JVFR Image APT20M11JVFR Microsemi MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 การสอบสวน
APT20GF120BRG Image APT20GF120BRG Microsemi IGBT 1200V 32A 200W TO247 การสอบสวน
APT20GT60BRDQ1G Image APT20GT60BRDQ1G Microsemi IGBT 600V 43A 174W TO247 การสอบสวน
APT20GT60BRG Image APT20GT60BRG Microsemi IGBT 600V 43A 174W TO247 การสอบสวน
APT200GN60JDQ4G Image APT200GN60JDQ4G Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 การสอบสวน

ข่าว Latest