Το APT20GN60BG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT20GN60BG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT20GN60BG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT20GN60BG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APT20GN60BG
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APT20GN60BG
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- IGBT 600V 40A 136W TO247
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 25546 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.APT20GN60BG.pdf2.APT20GN60BG.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 600V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 1.9V @ 15V, 20A |
| Test Condition: | 400V, 20A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) στους 25 ° C: | 9ns/140ns |
| εναλλαγή Ενέργειας: | 230µJ (on), 580µJ (off) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-247 [B] |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 136W |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-247-3 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Τύπος εισόδου: | Standard |
| IGBT Τύπος: | Trench Field Stop |
| πύλη Χρέωση: | 120nC |
| Λεπτομερής περιγραφή: | IGBT Trench Field Stop 600V 40A 136W Through Hole TO-247 [B] |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM): | 60A |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 40A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APT20GN60BG
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK | Έρευνα |
 |
APT20M22B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | Έρευνα |
 |
APT20M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT20M22B2VRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | Έρευνα |
 |
APT20GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 36A 200W TO247 | Έρευνα |
|
APT20GN60BDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | Έρευνα |
 |
APT20DC120HJ | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 | Έρευνα |
|
APT20F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | Έρευνα |
|
APT20M22JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT20M120JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | Έρευνα |
|
APT20M120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | Έρευνα |
 |
APT2012P3BT | Kingbright | PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD | Έρευνα |
|
APT20M19JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT200GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 195A ISOTOP | Έρευνα |
 |
APT200GN60JG | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Έρευνα |
|
APT20M11JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT20GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 32A 200W TO247 | Έρευνα |
|
APT20GT60BRDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | Έρευνα |
|
APT20GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | Έρευνα |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;