APT20GF120BRG พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT20GF120BRG เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT20GF120BRG ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT20GF120BRG ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
APT20GF120BRG
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- APT20GF120BRG
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- IGBT 1200V 32A 200W TO247
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 25709 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- APT20GF120BRG.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 1200V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 3.2V @ 15V, 15A |
| ทดสอบสภาพ: | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | 17ns/105ns |
| การสลับพลังงาน: | 2.7mJ |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-247 [B] |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 200W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| ประเภท IGBT: | NPT |
| ค่าใช้จ่ายประตู: | 95nC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT NPT 1200V 32A 200W Through Hole TO-247 [B] |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM): | 64A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 32A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT20GF120BRG
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20M11JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | การสอบสวน |
 |
APT20M22B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | การสอบสวน |
 |
APT20M19JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 | การสอบสวน |
 |
APT20GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | การสอบสวน |
 |
APT20F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK | การสอบสวน |
|
APT20GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | การสอบสวน |
|
APT20M120JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | การสอบสวน |
 |
APT200GN60J | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | การสอบสวน |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | การสอบสวน |
|
APT20GN60BDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | การสอบสวน |
|
APT20DC120HJ | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 | การสอบสวน |
|
APT200GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 195A ISOTOP | การสอบสวน |
|
APT20GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 36A 200W TO247 | การสอบสวน |
 |
APT2012P3BT | Kingbright | PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD | การสอบสวน |
|
APT20M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT20F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | การสอบสวน |
|
APT200GN60JG | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | การสอบสวน |
|
APT20M120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | การสอบสวน |
|
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | การสอบสวน |
|
APT20GT60BRDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS