APT2012P3BT พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT2012P3BT เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT2012P3BT ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT2012P3BT ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
APT2012P3BT
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- APT2012P3BT
- ผู้ผลิต:
- Kingbright
- ลักษณะ:
- PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 29301 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- APT2012P3BT.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความยาวคลื่น: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 30V |
| มุมมอง: | - |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 100mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 0805 (2012 Metric) |
| ชื่ออื่น: | 754-1436-2 |
| ปฐมนิเทศ: | Top View |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 9 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Phototransistor Top View 0805 (2012 Metric) |
| ปัจจุบัน - เข้ม (ID) (สูงสุด): | 100nA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 1mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT2012P3BT
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APT200GN60JG | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | การสอบสวน |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | การสอบสวน |
 |
APT19F100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 | การสอบสวน |
 |
APT20F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | การสอบสวน |
 |
APT20F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK | การสอบสวน |
|
APT20GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 36A 200W TO247 | การสอบสวน |
|
APT20GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | การสอบสวน |
 |
APT18M80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK | การสอบสวน |
|
APT19M120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT20M11JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT18M80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 | การสอบสวน |
|
APT20GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | การสอบสวน |
|
APT20GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 32A 200W TO247 | การสอบสวน |
|
APT200GN60J | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | การสอบสวน |
|
APT20GN60BDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | การสอบสวน |
|
APT20GT60BRDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | การสอบสวน |
|
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | การสอบสวน |
 |
APT200GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 195A ISOTOP | การสอบสวน |
|
APT20DC120HJ | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 | การสอบสวน |
|
APT200GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W TO247 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด