APT2012P3BT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT2012P3BT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT2012P3BT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT2012P3BT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT2012P3BT
- رقم القطعة:
- APT2012P3BT
- الصانع:
- Kingbright
- وصف:
- PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29301 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT2012P3BT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الطول الموجي: | - |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 30V |
| زاوية الرؤية: | - |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 100mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 0805 (2012 Metric) |
| اسماء اخرى: | 754-1436-2 |
| توجيه: | Top View |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 9 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Phototransistor Top View 0805 (2012 Metric) |
| الحالي - الظلام (رقم) (ماكس): | 100nA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 1mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT2012P3BT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT200GN60JG | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
 |
APT19F100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT20F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | تحقيق |
 |
APT20F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK | تحقيق |
|
APT20GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 36A 200W TO247 | تحقيق |
|
APT20GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | تحقيق |
 |
APT18M80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK | تحقيق |
|
APT19M120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 | تحقيق |
|
APT20M11JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | تحقيق |
|
APT18M80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 | تحقيق |
|
APT20GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | تحقيق |
|
APT20GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 32A 200W TO247 | تحقيق |
|
APT200GN60J | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
|
APT20GN60BDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | تحقيق |
|
APT20GT60BRDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | تحقيق |
|
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
 |
APT200GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 195A ISOTOP | تحقيق |
|
APT20DC120HJ | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 | تحقيق |
|
APT200GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل