APT20GN60BDQ1G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT20GN60BDQ1G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT20GN60BDQ1G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT20GN60BDQ1G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT20GN60BDQ1G
- رقم القطعة:
- APT20GN60BDQ1G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 600V 40A 136W TO247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49955 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APT20GN60BDQ1G.pdf2.APT20GN60BDQ1G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.9V @ 15V, 20A |
| اختبار حالة: | 400V, 20A, 4.3 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 9ns/140ns |
| تحويل الطاقة: | 230µJ (on), 580µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 [B] |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 136W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 120nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT Trench Field Stop 600V 40A 136W Through Hole TO-247 [B] |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 60A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 40A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT20GN60BDQ1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20M120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | تحقيق |
 |
APT200GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 195A ISOTOP | تحقيق |
 |
APT20GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | تحقيق |
 |
APT20M22B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | تحقيق |
|
APT20GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 36A 200W TO247 | تحقيق |
|
APT20DC120HJ | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 | تحقيق |
|
APT20M19JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 | تحقيق |
|
APT20GT60BRDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | تحقيق |
|
APT20F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | تحقيق |
 |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
|
APT20M22B2VRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | تحقيق |
|
APT20GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 32A 200W TO247 | تحقيق |
|
APT200GN60JG | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
 |
APT2012P3BT | Kingbright | PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD | تحقيق |
|
APT20M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | تحقيق |
|
APT20M120JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | تحقيق |
|
APT20GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | تحقيق |
|
APT20M11JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT20F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK | تحقيق |
|
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS