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APT20GN60BDQ1G
- Modello di prodotti:
- APT20GN60BDQ1G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 40A 136W TO247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 49955 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APT20GN60BDQ1G.pdf2.APT20GN60BDQ1G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 1.9V @ 15V, 20A |
| Condizione di test: | 400V, 20A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 9ns/140ns |
| di scambio energetico: | 230µJ (on), 580µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 [B] |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 136W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | Trench Field Stop |
| carica gate: | 120nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT Trench Field Stop 600V 40A 136W Through Hole TO-247 [B] |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 60A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 40A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT20GN60BDQ1G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20M120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | Inchiesta |
 |
APT200GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 195A ISOTOP | Inchiesta |
 |
APT20GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | Inchiesta |
 |
APT20M22B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | Inchiesta |
|
APT20GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 36A 200W TO247 | Inchiesta |
|
APT20DC120HJ | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 | Inchiesta |
|
APT20M19JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT20GT60BRDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | Inchiesta |
|
APT20F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Inchiesta |
|
APT20M22B2VRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | Inchiesta |
|
APT20GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 32A 200W TO247 | Inchiesta |
|
APT200GN60JG | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT2012P3BT | Kingbright | PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD | Inchiesta |
|
APT20M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT20M120JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | Inchiesta |
|
APT20GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | Inchiesta |
|
APT20M11JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT20F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK | Inchiesta |
|
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Inchiesta |
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