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APT200GN60JDQ4
- Modello di prodotti:
- APT200GN60JDQ4
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 283A 682W SOT227
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 56681 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APT200GN60JDQ4.pdf2.APT200GN60JDQ4.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 1.85V @ 15V, 200A |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ISOTOP® |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 682W |
| Contenitore / involucro: | ISOTOP |
| Altri nomi: | APT200GN60JDQ4MI |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Termistore NTC: | No |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: | 14.1nF @ 25V |
| Ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | Trench Field Stop |
| Descrizione dettagliata: | IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP® |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 50µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 283A |
| Configurazione: | Single |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT200GN60JDQ4
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT19F100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT20GN60BDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | Inchiesta |
 |
APT200GN60JG | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT200GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 195A ISOTOP | Inchiesta |
 |
APT18F60S | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK | Inchiesta |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Inchiesta |
|
APT20GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 32A 200W TO247 | Inchiesta |
|
APT18M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 | Inchiesta |
|
APT200GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W TO247 | Inchiesta |
 |
APT18M80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK | Inchiesta |
|
APT20F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK | Inchiesta |
|
APT18M80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 | Inchiesta |
|
APT20F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | Inchiesta |
|
APT19M120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT2012P3BT | Kingbright | PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD | Inchiesta |
|
APT20GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 36A 200W TO247 | Inchiesta |
|
APT20DC120HJ | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 | Inchiesta |
|
APT200GN60J | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT17NTR-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 480V SOT23 | Inchiesta |
|
APT18F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | Inchiesta |
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