APT20GF120BRDQ1G è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APT20GF120BRDQ1G, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APT20GF120BRDQ1G via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APT20GF120BRDQ1G con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
APT20GF120BRDQ1G
- Modello di prodotti:
- APT20GF120BRDQ1G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 1200V 36A 200W TO247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 41203 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT20GF120BRDQ1G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1200V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 3.2V @ 15V, 15A |
| Condizione di test: | 800V, 15A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 10ns/120ns |
| di scambio energetico: | 895µJ (on), 840µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 [B] |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 200W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | NPT |
| carica gate: | 100nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT NPT 1200V 36A 200W Through Hole TO-247 [B] |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 64A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 36A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT20GF120BRDQ1G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20DC120HJ | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 | Inchiesta |
 |
APT20GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 32A 200W TO247 | Inchiesta |
|
APT20GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | Inchiesta |
 |
APT20M120JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | Inchiesta |
|
APT20M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT200GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W TO247 | Inchiesta |
|
APT20M120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | Inchiesta |
 |
APT2012P3BT | Kingbright | PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD | Inchiesta |
|
APT20GN60BDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | Inchiesta |
|
APT20GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | Inchiesta |
|
APT20F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | Inchiesta |
|
APT20GT60BRDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | Inchiesta |
 |
APT200GN60JG | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Inchiesta |
|
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Inchiesta |
|
APT20M11JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT200GN60J | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT20F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK | Inchiesta |
|
APT20M19JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Inchiesta |
|
APT200GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 195A ISOTOP | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS
- La grande fabbrica di chip è stata influenzata dal terremoto: TSMC ha smesso di funzionare con urgenza, esacerbando la fornitura di GPU a breve termine?
- La memoria di Nand Flash continua, MCU Deslocking Bottom ha ragione