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APT20M120JCU3
- Modello di prodotti:
- APT20M120JCU3
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 23605 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT20M120JCU3.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-227 |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 672 mOhm @ 14A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 543W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 7736pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 300nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 1200V 20A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT20M120JCU3
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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APT20M22JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 | Inchiesta |
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APT20M22JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 | Inchiesta |
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APT20M120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | Inchiesta |
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APT20M22LVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 | Inchiesta |
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APT20M38BVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | Inchiesta |
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APT20GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | Inchiesta |
|
APT20GT60BRDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | Inchiesta |
|
APT20GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | Inchiesta |
|
APT20M38BVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | Inchiesta |
|
APT20GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 32A 200W TO247 | Inchiesta |
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APT20M38SVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | Inchiesta |
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APT20F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK | Inchiesta |
 |
APT20M22B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT20M19JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT20M22LVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 | Inchiesta |
|
APT20M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT20GN60BDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | Inchiesta |
|
APT20GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 36A 200W TO247 | Inchiesta |
|
APT20M11JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT20M22B2VRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | Inchiesta |
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