APT20M22B2VFRG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT20M22B2VFRG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT20M22B2VFRG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT20M22B2VFRG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT20M22B2VFRG
- رقم القطعة:
- APT20M22B2VFRG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40881 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APT20M22B2VFRG.pdf2.APT20M22B2VFRG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 2.5mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | T-MAX™ [B2] |
| سلسلة: | POWER MOS V® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 22 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 520W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 Variant |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 10200pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 435nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 200V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT20M22B2VFRG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20GT60BRDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | تحقيق |
 |
APT20M38SVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | تحقيق |
 |
APT20M120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | تحقيق |
|
APT20GN60BDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | تحقيق |
 |
APT20M38SVRG/TR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | تحقيق |
|
APT20GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | تحقيق |
|
APT20M22JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 | تحقيق |
|
APT20M120JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | تحقيق |
|
APT20M38BVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | تحقيق |
|
APT20GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | تحقيق |
 |
APT20M22LVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 | تحقيق |
 |
APT20M22B2VRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | تحقيق |
|
APT20M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | تحقيق |
|
APT20M38SVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | تحقيق |
|
APT20M22LVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 | تحقيق |
 |
APT20M19JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 | تحقيق |
|
APT20M38BVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | تحقيق |
|
APT20M11JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | تحقيق |
|
APT20M22JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 | تحقيق |
|
APT20GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 32A 200W TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025