ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT20M22B2VFRG
APT20M22B2VFRG
APT20M22B2VFRG
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT20M22B2VFRG
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
40881 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.APT20M22B2VFRG.pdf2.APT20M22B2VFRG.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT20M22B2VFRG พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT20M22B2VFRG เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT20M22B2VFRG ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT20M22B2VFRG ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 2.5mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:T-MAX™ [B2]
ชุด:POWER MOS V®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:22 mOhm @ 500mA, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):520W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3 Variant
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:10200pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:435nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):200V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 200V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:100A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT20M22B2VFRG

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT20GT60BRDQ1G Image APT20GT60BRDQ1G Microsemi IGBT 600V 43A 174W TO247 การสอบสวน
APT20M38SVRG Image APT20M38SVRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK การสอบสวน
APT20M120JCU2 Image APT20M120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 การสอบสวน
APT20GN60BDQ1G Image APT20GN60BDQ1G Microsemi IGBT 600V 40A 136W TO247 การสอบสวน
APT20M38SVRG/TR Image APT20M38SVRG/TR Microsemi MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK การสอบสวน
APT20GN60BG Image APT20GN60BG Microsemi IGBT 600V 40A 136W TO247 การสอบสวน
APT20M22JVRU3 Image APT20M22JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 การสอบสวน
APT20M120JCU3 Image APT20M120JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 การสอบสวน
APT20M38BVRG Image APT20M38BVRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 การสอบสวน
APT20GT60BRG Image APT20GT60BRG Microsemi IGBT 600V 43A 174W TO247 การสอบสวน
APT20M22LVRG Image APT20M22LVRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 การสอบสวน
APT20M22B2VRG Image APT20M22B2VRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX การสอบสวน
APT20M11JVR Image APT20M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 การสอบสวน
APT20M38SVFRG Image APT20M38SVFRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK การสอบสวน
APT20M22LVFRG Image APT20M22LVFRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 การสอบสวน
APT20M19JVR Image APT20M19JVR Microsemi MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 การสอบสวน
APT20M38BVFRG Image APT20M38BVFRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 การสอบสวน
APT20M11JVFR Image APT20M11JVFR Microsemi MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 การสอบสวน
APT20M22JVRU2 Image APT20M22JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 การสอบสวน
APT20GF120BRG Image APT20GF120BRG Microsemi IGBT 1200V 32A 200W TO247 การสอบสวน

ข่าว Latest