ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT20M19JVR
APT20M19JVR
APT20M19JVR
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT20M19JVR
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
22937 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT20M19JVR.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT20M19JVR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT20M19JVR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT20M19JVR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT20M19JVR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ISOTOP®
ชุด:POWER MOS V®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:19 mOhm @ 500mA, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):500W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:11640pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:495nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):200V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 200V 112A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:112A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT20M19JVR

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT20GN60BDQ1G Image APT20GN60BDQ1G Microsemi IGBT 600V 40A 136W TO247 การสอบสวน
APT20M11JVFR Image APT20M11JVFR Microsemi MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 การสอบสวน
APT20M22B2VFRG Image APT20M22B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX การสอบสวน
APT20M38SVFRG Image APT20M38SVFRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK การสอบสวน
APT20GF120BRDQ1G Image APT20GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 36A 200W TO247 การสอบสวน
APT20M22LVFRG Image APT20M22LVFRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 การสอบสวน
APT20GF120BRG Image APT20GF120BRG Microsemi IGBT 1200V 32A 200W TO247 การสอบสวน
APT20M11JVR Image APT20M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 การสอบสวน
APT20M22JVRU3 Image APT20M22JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 การสอบสวน
APT20GN60BG Image APT20GN60BG Microsemi IGBT 600V 40A 136W TO247 การสอบสวน
APT20GT60BRG Image APT20GT60BRG Microsemi IGBT 600V 43A 174W TO247 การสอบสวน
APT20GT60BRDQ1G Image APT20GT60BRDQ1G Microsemi IGBT 600V 43A 174W TO247 การสอบสวน
APT20M38BVRG Image APT20M38BVRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 การสอบสวน
APT20M38SVRG Image APT20M38SVRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK การสอบสวน
APT20M120JCU2 Image APT20M120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 การสอบสวน
APT20M22B2VRG Image APT20M22B2VRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX การสอบสวน
APT20M120JCU3 Image APT20M120JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 การสอบสวน
APT20M22JVRU2 Image APT20M22JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 การสอบสวน
APT20M22LVRG Image APT20M22LVRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 การสอบสวน
APT20M38BVFRG Image APT20M38BVFRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 การสอบสวน

ข่าว Latest