APT200GN60JDQ4G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT200GN60JDQ4G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT200GN60JDQ4G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT200GN60JDQ4G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT200GN60JDQ4G
- رقم القطعة:
- APT200GN60JDQ4G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 600V 283A 682W SOT227
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24017 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT200GN60JDQ4G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.85V @ 15V, 200A |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOTOP® |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 682W |
| حزمة / كيس: | ISOTOP |
| اسماء اخرى: | APT200GN60JDQ4G-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| NTC الثرمستور: | No |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 14.1nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP® |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 50µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 283A |
| ترتيب: | Single |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT200GN60JDQ4G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT18F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | تحقيق |
 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
|
APT200GN60J | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
|
APT200GN60JG | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
 |
APT18F60S | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK | تحقيق |
|
APT20GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | تحقيق |
|
APT20GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 36A 200W TO247 | تحقيق |
 |
APT18M80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK | تحقيق |
 |
APT19F100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT2012P3BT | Kingbright | PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD | تحقيق |
|
APT18M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 | تحقيق |
 |
APT20DC120HJ | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 | تحقيق |
|
APT20GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 32A 200W TO247 | تحقيق |
|
APT20F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK | تحقيق |
|
APT20GN60BDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | تحقيق |
|
APT18M80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 | تحقيق |
|
APT200GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W TO247 | تحقيق |
|
APT200GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 195A ISOTOP | تحقيق |
|
APT20F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | تحقيق |
|
APT19M120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM