APT19F100J متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT19F100J، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT19F100J عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT19F100J مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT19F100J
- رقم القطعة:
- APT19F100J
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 33619 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APT19F100J.pdf2.APT19F100J.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 2.5mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOTOP® |
| سلسلة: | POWER MOS 8™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 440 mOhm @ 16A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 460W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 8500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 260nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 1000V 20A (Tc) 460W (Tc) Chassis Mount ISOTOP® |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT19F100J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT200GN60J | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
 |
APT18F60S | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK | تحقيق |
 |
APT200GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 195A ISOTOP | تحقيق |
|
APT17F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK | تحقيق |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
 |
APT17NTR-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 480V SOT23 | تحقيق |
 |
APT18M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 | تحقيق |
|
APT200GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W TO247 | تحقيق |
 |
APT19M120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT18M80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK | تحقيق |
|
APT18F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | تحقيق |
|
APT20F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | تحقيق |
|
APT17N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | تحقيق |
|
APT200GN60JG | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
 |
APT2012P3BT | Kingbright | PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD | تحقيق |
|
APT17F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 | تحقيق |
|
APT17N80SC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK | تحقيق |
|
APT20DC120HJ | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 | تحقيق |
|
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
|
APT18M80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات