APT2012P3BT je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APT2012P3BT, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APT2012P3BT e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APT2012P3BT s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APT2012P3BT
- Part Number:
- APT2012P3BT
- Výrobce:
- Kingbright
- Popis:
- PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 29301 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APT2012P3BT.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vlnová délka: | - |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 30V |
| Úhel pohledu: | - |
| Série: | - |
| Power - Max: | 100mW |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 0805 (2012 Metric) |
| Ostatní jména: | 754-1436-2 |
| Orientace: | Top View |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 9 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | Phototransistor Top View 0805 (2012 Metric) |
| Proud - Tmavý (Id) (Max): | 100nA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 1mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APT2012P3BT
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APT200GN60JG | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dotaz |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dotaz |
 |
APT19F100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 | Dotaz |
 |
APT20F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | Dotaz |
 |
APT20F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK | Dotaz |
|
APT20GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 36A 200W TO247 | Dotaz |
|
APT20GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | Dotaz |
 |
APT18M80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK | Dotaz |
|
APT19M120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 | Dotaz |
|
APT20M11JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Dotaz |
|
APT18M80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 | Dotaz |
|
APT20GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | Dotaz |
|
APT20GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 32A 200W TO247 | Dotaz |
|
APT200GN60J | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dotaz |
|
APT20GN60BDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | Dotaz |
|
APT20GT60BRDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | Dotaz |
|
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dotaz |
 |
APT200GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 195A ISOTOP | Dotaz |
|
APT20DC120HJ | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 | Dotaz |
|
APT200GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W TO247 | Dotaz |
Latest News
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED