Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > APT200GN60B2G
APT200GN60B2G
APT200GN60B2G
Part Number:
APT200GN60B2G
Výrobce:
Microsemi
Popis:
IGBT 600V 283A 682W TO247
Vedoucí volný stav:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství zásob:
30160 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Dodací lhůta:
4-8 weeks
Datový list:
1.APT200GN60B2G.pdf2.APT200GN60B2G.pdf
Dotaz

Úvod

APT200GN60B2G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APT200GN60B2G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APT200GN60B2G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APT200GN60B2G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New & Original, tested
Země původu Contact us
Označovací kód Send by email
Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max):600V
VCE (o) (Max) @ VGE, Ic:1.85V @ 15V, 200A
Zkušební podmínky:400V, 200A, 1 Ohm, 15V
Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C:50ns/560ns
přepínání energie:13mJ (on), 11mJ (off)
Série:-
Power - Max:682W
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-247-3
Ostatní jména:APT200GN60B2GMI
APT200GN60B2GMI-ND
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:18 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Typ vstupu:Standard
Typ IGBT:Trench Field Stop
Gate Charge:1180nC
Detailní popis:IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole
Aktuální - sběratel Pulsní (ICM):600A
Proud - Collector (Ic) (Max):283A
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro APT200GN60B2G

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
APT200GT60JR Image APT200GT60JR Microsemi IGBT 600V 195A ISOTOP Dotaz
APT19M120J Image APT19M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 Dotaz
APT18F60B Image APT18F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 Dotaz
APT19F100J Image APT19F100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 Dotaz
APT200GN60JG Image APT200GN60JG Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Dotaz
APT18F60S Image APT18F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK Dotaz
APT18M100B Image APT18M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 Dotaz
APT17N80BC3G Image APT17N80BC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Dotaz
APT20DC120HJ Image APT20DC120HJ Microsemi RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 Dotaz
APT200GN60J Image APT200GN60J Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Dotaz
APT17NTR-G1 Image APT17NTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 480V SOT23 Dotaz
APT20F50B Image APT20F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 Dotaz
APT18M80B Image APT18M80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 Dotaz
APT200GN60JDQ4 Image APT200GN60JDQ4 Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Dotaz
APT17N80SC3G Image APT17N80SC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK Dotaz
APT20GF120BRDQ1G Image APT20GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 36A 200W TO247 Dotaz
APT20F50S Image APT20F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK Dotaz
APT2012P3BT Image APT2012P3BT Kingbright PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD Dotaz
APT18M80S Image APT18M80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK Dotaz
APT200GN60JDQ4G Image APT200GN60JDQ4G Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Dotaz

Latest News