Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > APT200GN60B2G
APT200GN60B2G
APT200GN60B2G
Αριθμός εξαρτήματος:
APT200GN60B2G
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
IGBT 600V 283A 682W TO247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
30160 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.APT200GN60B2G.pdf2.APT200GN60B2G.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT200GN60B2G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT200GN60B2G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT200GN60B2G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT200GN60B2G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:1.85V @ 15V, 200A
Test Condition:400V, 200A, 1 Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C:50ns/560ns
εναλλαγή Ενέργειας:13mJ (on), 11mJ (off)
Σειρά:-
Ισχύς - Max:682W
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Αλλα ονόματα:APT200GN60B2GMI
APT200GN60B2GMI-ND
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:18 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Τύπος εισόδου:Standard
IGBT Τύπος:Trench Field Stop
πύλη Χρέωση:1180nC
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):600A
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):283A
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT200GN60B2G

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT200GT60JR Image APT200GT60JR Microsemi IGBT 600V 195A ISOTOP Έρευνα
APT19M120J Image APT19M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 Έρευνα
APT18F60B Image APT18F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 Έρευνα
APT19F100J Image APT19F100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 Έρευνα
APT200GN60JG Image APT200GN60JG Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Έρευνα
APT18F60S Image APT18F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK Έρευνα
APT18M100B Image APT18M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 Έρευνα
APT17N80BC3G Image APT17N80BC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Έρευνα
APT20DC120HJ Image APT20DC120HJ Microsemi RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 Έρευνα
APT200GN60J Image APT200GN60J Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Έρευνα
APT17NTR-G1 Image APT17NTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 480V SOT23 Έρευνα
APT20F50B Image APT20F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 Έρευνα
APT18M80B Image APT18M80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 Έρευνα
APT200GN60JDQ4 Image APT200GN60JDQ4 Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Έρευνα
APT17N80SC3G Image APT17N80SC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK Έρευνα
APT20GF120BRDQ1G Image APT20GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 36A 200W TO247 Έρευνα
APT20F50S Image APT20F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK Έρευνα
APT2012P3BT Image APT2012P3BT Kingbright PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD Έρευνα
APT18M80S Image APT18M80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK Έρευνα
APT200GN60JDQ4G Image APT200GN60JDQ4G Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Έρευνα

Latest Ειδήσεις