Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT18M80B
APT18M80B
APT18M80B
Αριθμός εξαρτήματος:
APT18M80B
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
29582 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.APT18M80B.pdf2.APT18M80B.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT18M80B είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT18M80B, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT18M80B μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT18M80B με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247 [B]
Σειρά:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:530 mOhm @ 9A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):500W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:8 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:3760pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:120nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):800V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 800V 19A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:19A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT18M80B

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT200GT60JR Image APT200GT60JR Microsemi IGBT 600V 195A ISOTOP Έρευνα
APT18M80S Image APT18M80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK Έρευνα
APT19F100J Image APT19F100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 Έρευνα
APT200GN60JDQ4G Image APT200GN60JDQ4G Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Έρευνα
APT18M100B Image APT18M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 Έρευνα
APT17F100S Image APT17F100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK Έρευνα
APT17N80BC3G Image APT17N80BC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Έρευνα
APT18F60S Image APT18F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK Έρευνα
APT17F80B Image APT17F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 Έρευνα
APT17NTR-G1 Image APT17NTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 480V SOT23 Έρευνα
APT200GN60JDQ4 Image APT200GN60JDQ4 Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Έρευνα
APT18F60B Image APT18F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 Έρευνα
APT17F80S Image APT17F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK Έρευνα
APT200GN60JG Image APT200GN60JG Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Έρευνα
APT2012P3BT Image APT2012P3BT Kingbright PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD Έρευνα
APT200GN60J Image APT200GN60J Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Έρευνα
APT17N80SC3G Image APT17N80SC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK Έρευνα
APT200GN60B2G Image APT200GN60B2G Microsemi IGBT 600V 283A 682W TO247 Έρευνα
APT17F120J Image APT17F120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 Έρευνα
APT19M120J Image APT19M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 Έρευνα

Latest Ειδήσεις