Türk dili
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Hakkımızda | Bizimle iletişime geçin | Bir teklif isteği |
Ev > Ürünler > Ayrı Yarıiletken Ürünler > Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli > APT18M80B
APT18M80B
APT18M80B
Parça Numarası:
APT18M80B
Üretici firma:
Microsemi
Açıklama:
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
Kurşunsuz Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Stok miktarı:
29582 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days
Teslim süresi:
4-8 weeks
Veri Sayfası:
1.APT18M80B.pdf2.APT18M80B.pdf
soruşturma

Giriş

APT18M80B şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, APT18M80B için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize APT18M80B için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
APT18M80B LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]

Özellikler

Şart New & Original, tested
Menşei ülke Contact us
İşaretleme kodu Send by email
Id @ Vgs (th) (Max):5V @ 1mA
Vgs (Maks.):±30V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:TO-247 [B]
Dizi:POWER MOS 8™
Id, VGS @ rds On (Max):530 mOhm @ 9A, 10V
Güç Tüketimi (Max):500W (Tc)
paketleme:Tube
Paket / Kutu:TO-247-3
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Through Hole
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:8 Weeks
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:3760pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:120nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):800V
Detaylı Açıklama:N-Channel 800V 19A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):19A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar

APT18M80B için ilgili parçalar

görüntü Parça Numarası Üreticiler Açıklama Görünüm
APT200GT60JR Image APT200GT60JR Microsemi IGBT 600V 195A ISOTOP soruşturma
APT18M80S Image APT18M80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK soruşturma
APT19F100J Image APT19F100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 soruşturma
APT200GN60JDQ4G Image APT200GN60JDQ4G Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 soruşturma
APT18M100B Image APT18M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 soruşturma
APT17F100S Image APT17F100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK soruşturma
APT17N80BC3G Image APT17N80BC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 soruşturma
APT18F60S Image APT18F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK soruşturma
APT17F80B Image APT17F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 soruşturma
APT17NTR-G1 Image APT17NTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 480V SOT23 soruşturma
APT200GN60JDQ4 Image APT200GN60JDQ4 Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 soruşturma
APT18F60B Image APT18F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 soruşturma
APT17F80S Image APT17F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK soruşturma
APT200GN60JG Image APT200GN60JG Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 soruşturma
APT2012P3BT Image APT2012P3BT Kingbright PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD soruşturma
APT200GN60J Image APT200GN60J Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 soruşturma
APT17N80SC3G Image APT17N80SC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK soruşturma
APT200GN60B2G Image APT200GN60B2G Microsemi IGBT 600V 283A 682W TO247 soruşturma
APT17F120J Image APT17F120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 soruşturma
APT19M120J Image APT19M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 soruşturma

Latest Haberleri