Nederland
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Over ons | Neem contact met ons op | Een citaat aanvragen |
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single > APT200GN60B2G
APT200GN60B2G
APT200GN60B2G
Onderdeel nummer:
APT200GN60B2G
Fabrikant:
Microsemi
Beschrijving:
IGBT 600V 283A 682W TO247
Loodvrije status:
Loodvrij / RoHS-conform
Voorraadhoeveelheid:
30160 Pieces
Aflevertijd:
1-2 days
Doorlooptijd:
4-8 weeks
Data papier:
1.APT200GN60B2G.pdf2.APT200GN60B2G.pdf
Onderzoek

Invoering

APT200GN60B2G is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor APT200GN60B2G, we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor APT200GN60B2G per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop APT200GN60B2G met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]

bestek

Staat New & Original, tested
Land van herkomst Contact us
Markeringscode Send by email
Spanning - Collector Emitter Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:1.85V @ 15V, 200A
Test conditie:400V, 200A, 1 Ohm, 15V
Td (aan / uit) @ 25 ° C:50ns/560ns
Schakelen Energy:13mJ (on), 11mJ (off)
Serie:-
Vermogen - Max:682W
Packaging:Tube
Verpakking / doos:TO-247-3
Andere namen:APT200GN60B2GMI
APT200GN60B2GMI-ND
Temperatuur:-55°C ~ 175°C (TJ)
montage Type:Through Hole
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikant Standaard Levertijd:18 Weeks
Loodvrije status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Input Type:Standard
IGBT Type:Trench Field Stop
Gate Charge:1180nC
gedetailleerde beschrijving:IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole
Current - Collector Pulsed (ICM):600A
Current - Collector (Ic) (Max):283A
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments

Verwante onderdelen voor APT200GN60B2G

Beeld Onderdeel nummer fabrikanten Beschrijving Uitzicht
APT200GT60JR Image APT200GT60JR Microsemi IGBT 600V 195A ISOTOP Onderzoek
APT19M120J Image APT19M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 Onderzoek
APT18F60B Image APT18F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 Onderzoek
APT19F100J Image APT19F100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 Onderzoek
APT200GN60JG Image APT200GN60JG Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Onderzoek
APT18F60S Image APT18F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK Onderzoek
APT18M100B Image APT18M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 Onderzoek
APT17N80BC3G Image APT17N80BC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Onderzoek
APT20DC120HJ Image APT20DC120HJ Microsemi RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 Onderzoek
APT200GN60J Image APT200GN60J Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Onderzoek
APT17NTR-G1 Image APT17NTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 480V SOT23 Onderzoek
APT20F50B Image APT20F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 Onderzoek
APT18M80B Image APT18M80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 Onderzoek
APT200GN60JDQ4 Image APT200GN60JDQ4 Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Onderzoek
APT17N80SC3G Image APT17N80SC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK Onderzoek
APT20GF120BRDQ1G Image APT20GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 36A 200W TO247 Onderzoek
APT20F50S Image APT20F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK Onderzoek
APT2012P3BT Image APT2012P3BT Kingbright PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD Onderzoek
APT18M80S Image APT18M80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK Onderzoek
APT200GN60JDQ4G Image APT200GN60JDQ4G Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Onderzoek

Latest Nieuws