APT20GF120BRG je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APT20GF120BRG, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APT20GF120BRG e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APT20GF120BRG s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APT20GF120BRG
- Part Number:
- APT20GF120BRG
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- IGBT 1200V 32A 200W TO247
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 25709 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APT20GF120BRG.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1200V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 3.2V @ 15V, 15A |
| Zkušební podmínky: | - |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 17ns/105ns |
| přepínání energie: | 2.7mJ |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-247 [B] |
| Série: | - |
| Power - Max: | 200W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | NPT |
| Gate Charge: | 95nC |
| Detailní popis: | IGBT NPT 1200V 32A 200W Through Hole TO-247 [B] |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 64A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 32A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APT20GF120BRG
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20M11JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Dotaz |
 |
APT20M22B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | Dotaz |
 |
APT20M19JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 | Dotaz |
 |
APT20GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | Dotaz |
 |
APT20F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK | Dotaz |
|
APT20GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | Dotaz |
|
APT20M120JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | Dotaz |
 |
APT200GN60J | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dotaz |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dotaz |
|
APT20GN60BDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 40A 136W TO247 | Dotaz |
|
APT20DC120HJ | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 | Dotaz |
|
APT200GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 195A ISOTOP | Dotaz |
|
APT20GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 36A 200W TO247 | Dotaz |
 |
APT2012P3BT | Kingbright | PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD | Dotaz |
|
APT20M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Dotaz |
|
APT20F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | Dotaz |
|
APT200GN60JG | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dotaz |
|
APT20M120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | Dotaz |
|
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dotaz |
|
APT20GT60BRDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 43A 174W TO247 | Dotaz |
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS