ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT100GN120B2G
APT100GN120B2G
APT100GN120B2G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT100GN120B2G
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 1200V 245A 960W TMAX
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
56906 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.APT100GN120B2G.pdf2.APT100GN120B2G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT100GN120B2G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT100GN120B2G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT100GN120B2G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT100GN120B2G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.1V @ 15V, 100A
ทดสอบสภาพ:800V, 100A, 1 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:50ns/615ns
การสลับพลังงาน:11mJ (on), 9.5mJ (off)
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:960W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3 Variant
ชื่ออื่น:APT100GN120B2GMI
APT100GN120B2GMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:18 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:Trench Field Stop
ค่าใช้จ่ายประตู:540nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT Trench Field Stop 1200V 245A 960W Through Hole
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):300A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):245A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT100GN120B2G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT100GT60JR Image APT100GT60JR Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 การสอบสวน
APT100GT120JU3 Image APT100GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 การสอบสวน
APT100GN120JDQ4 Image APT100GN120JDQ4 Microsemi IGBT 1200V 153A 446W SOT227 การสอบสวน
APT100DL60HJ Image APT100DL60HJ Microsemi MOD DIODE 600V SOT-227 การสอบสวน
APT100GT60B2RG Image APT100GT60B2RG Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT247 การสอบสวน
APT100GF60JU2 Image APT100GF60JU2 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 การสอบสวน
APT100GT120JRDQ4 Image APT100GT120JRDQ4 Microsemi IGBT 1200V 123A 570W SOT227 การสอบสวน
APT100DL60BG Image APT100DL60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 การสอบสวน
APT10078BLLG Image APT10078BLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 การสอบสวน
APT10090BLLG Image APT10090BLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 การสอบสวน
APT10078SLLG Image APT10078SLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK การสอบสวน
APT100GN120J Image APT100GN120J Microsemi IGBT 1200V 153A 446W SOT227 การสอบสวน
APT10090BFLLG Image APT10090BFLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 การสอบสวน
APT100GN60LDQ4G Image APT100GN60LDQ4G Microsemi IGBT 600V 229A 625W TO264 การสอบสวน
APT100GF60JU3 Image APT100GF60JU3 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 การสอบสวน
APT100GLQ65JU2 Microsemi POWER MODULE - IGBT การสอบสวน
APT100F50J Image APT100F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 การสอบสวน
APT100GT120JR Image APT100GT120JR Microsemi IGBT 1200V 123A 570W SOT227 การสอบสวน
APT100GN60B2G Image APT100GN60B2G Microsemi IGBT 600V 229A 625W TMAX การสอบสวน
APT100GT120JU2 Image APT100GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 การสอบสวน

ข่าว Latest