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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT100GN120B2G
APT100GN120B2G
APT100GN120B2G
Modèle de produit:
APT100GN120B2G
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 1200V 245A 960W TMAX
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
56906 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.APT100GN120B2G.pdf2.APT100GN120B2G.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 100A
Condition de test:800V, 100A, 1 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:50ns/615ns
énergie de commutation:11mJ (on), 9.5mJ (off)
Séries:-
Puissance - Max:960W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3 Variant
Autres noms:APT100GN120B2GMI
APT100GN120B2GMI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:540nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 1200V 245A 960W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm):300A
Courant - Collecteur (Ic) (max):245A
Email:[email protected]

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