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APT100GN120B2G
- Modello di prodotti:
- APT100GN120B2G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 1200V 245A 960W TMAX
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 56906 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APT100GN120B2G.pdf2.APT100GN120B2G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1200V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.1V @ 15V, 100A |
| Condizione di test: | 800V, 100A, 1 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 50ns/615ns |
| di scambio energetico: | 11mJ (on), 9.5mJ (off) |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 960W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 Variant |
| Altri nomi: | APT100GN120B2GMI APT100GN120B2GMI-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | Trench Field Stop |
| carica gate: | 540nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT Trench Field Stop 1200V 245A 960W Through Hole |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 300A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 245A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT100GN120B2G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT100GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | Inchiesta |
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APT100GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT100GN120JDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | Inchiesta |
|
APT100DL60HJ | Microsemi | MOD DIODE 600V SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT100GT60B2RG | Microsemi | IGBT 600V 148A 500W SOT247 | Inchiesta |
|
APT100GF60JU2 | Microsemi | IGBT 600V 120A 416W SOT227 | Inchiesta |
|
APT100GT120JRDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | Inchiesta |
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APT100DL60BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 | Inchiesta |
 |
APT10078BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | Inchiesta |
|
APT10090BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | Inchiesta |
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APT10078SLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | Inchiesta |
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APT100GN120J | Microsemi | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | Inchiesta |
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APT10090BFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | Inchiesta |
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APT100GN60LDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 229A 625W TO264 | Inchiesta |
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APT100GF60JU3 | Microsemi | IGBT 600V 120A 416W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT100GLQ65JU2 | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Inchiesta |
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APT100F50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 | Inchiesta |
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APT100GT120JR | Microsemi | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | Inchiesta |
|
APT100GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 229A 625W TMAX | Inchiesta |
|
APT100GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | Inchiesta |
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