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APT10090BFLLG
- Modello di prodotti:
- APT10090BFLLG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 43963 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT10090BFLLG.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 1969pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione: | TO-247 [B] |
| Vgs (th) (max) a Id: | 950 mOhm @ 6A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Stato RoHS: | Tube |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12A (Tc) |
| Polarizzazione: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APT10090BFLLG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 71nC @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5V @ 1mA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1000V (1kV) 12A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1000V (1kV) |
| rapporto di capacità: | 298W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT10090BFLLG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT1003RBLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT10035JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT100GF60JU3 | Microsemi | IGBT 600V 120A 416W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT100F50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 | Inchiesta |
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APT100GN120J | Microsemi | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | Inchiesta |
|
APT100DL60HJ | Microsemi | MOD DIODE 600V SOT-227 | Inchiesta |
|
APT100GN120B2G | Microsemi | IGBT 1200V 245A 960W TMAX | Inchiesta |
|
APT10045JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT1003RKLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | Inchiesta |
|
APT100GF60JU2 | Microsemi | IGBT 600V 120A 416W SOT227 | Inchiesta |
|
APT10035B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Inchiesta |
|
APT10045B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | Inchiesta |
|
APT10090BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | Inchiesta |
 |
APT100DL60BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 | Inchiesta |
|
APT100GLQ65JU2 | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Inchiesta |
|
APT100GN120JDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | Inchiesta |
|
APT10078BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT10078SLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | Inchiesta |
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