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APT10035B2LLG
- Modello di prodotti:
- APT10035B2LLG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 28246 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APT10035B2LLG.pdf2.APT10035B2LLG.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | T-MAX™ [B2] |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 350 mOhm @ 14A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 690W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 Variant |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5185pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 186nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 1000V 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT10035B2LLG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | Inchiesta |
 |
APT10021JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT10045JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT10078SLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | Inchiesta |
|
APT10035JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT1001RBN | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD | Inchiesta |
|
APT1001R1BN | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD | Inchiesta |
|
APT1002RBNG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD | Inchiesta |
|
APT1003RKLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | Inchiesta |
|
APT10021JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT10078BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT-CNOF | Altech Corporation | PANEL THERMOSTAT NO COOL FAHRENH | Inchiesta |
|
APT10090BFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | Inchiesta |
|
APT06DC60HJ | Microsemi | DIODE SIC SCHOTTKY 600V SOT227 | Inchiesta |
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APT10090BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT-HNCF | Altech Corporation | PANEL THERMOSTAT NC HEAT FAHRENH | Inchiesta |
|
APT-HNCC | Altech Corporation | PANEL THERMOSTAT NC HEAT CELSIUS | Inchiesta |
|
APT1003RBLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | Inchiesta |
|
APT10045B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | Inchiesta |
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