Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT10035B2LLG
APT10035B2LLG
APT10035B2LLG
Αριθμός εξαρτήματος:
APT10035B2LLG
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
28246 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.APT10035B2LLG.pdf2.APT10035B2LLG.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT10035B2LLG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT10035B2LLG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT10035B2LLG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT10035B2LLG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:T-MAX™ [B2]
Σειρά:POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:350 mOhm @ 14A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):690W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3 Variant
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:5185pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:186nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):1000V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 1000V 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT10035B2LLG

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT10035B2FLLG Image APT10035B2FLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX Έρευνα
APT10035LLLG Image APT10035LLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 Έρευνα
APT10021JFLL Image APT10021JFLL Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 Έρευνα
APT10045JLL Image APT10045JLL Microsemi MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 Έρευνα
APT10078SLLG Image APT10078SLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Έρευνα
APT10035JLL Image APT10035JLL Microsemi MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 Έρευνα
APT1001RBN Microsemi MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD Έρευνα
APT1001R1BN Microsemi MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD Έρευνα
APT1002RBNG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD Έρευνα
APT1003RKLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 Έρευνα
APT10021JLL Image APT10021JLL Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 Έρευνα
APT10078BLLG Image APT10078BLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Έρευνα
APT-CNOF Image APT-CNOF Altech Corporation PANEL THERMOSTAT NO COOL FAHRENH Έρευνα
APT10090BFLLG Image APT10090BFLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 Έρευνα
APT06DC60HJ Image APT06DC60HJ Microsemi DIODE SIC SCHOTTKY 600V SOT227 Έρευνα
APT10090BLLG Image APT10090BLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 Έρευνα
APT-HNCF Altech Corporation PANEL THERMOSTAT NC HEAT FAHRENH Έρευνα
APT-HNCC Altech Corporation PANEL THERMOSTAT NC HEAT CELSIUS Έρευνα
APT1003RBLLG Image APT1003RBLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 Έρευνα
APT10045B2LLG Image APT10045B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX Έρευνα

Latest Ειδήσεις