APT1001RBN è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APT1001RBN, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APT1001RBN via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APT1001RBN con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
APT1001RBN
- Modello di prodotti:
- APT1001RBN
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 54232 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT1001RBN.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247AD |
| Serie: | POWER MOS IV® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1 Ohm @ 5.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 310W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2950pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 1000V 11A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT1001RBN
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT-CNOC | Altech Corporation | PANEL THERMOSTAT NO COOL CEL 10A | Inchiesta |
 |
APT1003RKLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | Inchiesta |
 |
APT10021JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT10035JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT1003RBLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT-HNCC | Altech Corporation | PANEL THERMOSTAT NC HEAT CELSIUS | Inchiesta |
|
APT1001R1BN | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD | Inchiesta |
|
APT10021JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT10045JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT10035B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT-CNOF | Altech Corporation | PANEL THERMOSTAT NO COOL FAHRENH | Inchiesta |
|
APT10078BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT10078SLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | Inchiesta |
|
APT1002RBNG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD | Inchiesta |
|
APT06DC60HJ | Microsemi | DIODE SIC SCHOTTKY 600V SOT227 | Inchiesta |
|
APT10045B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | Inchiesta |
|
APT-HNCF | Altech Corporation | PANEL THERMOSTAT NC HEAT FAHRENH | Inchiesta |
|
APT10090BFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato