ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT10090BFLLG
APT10090BFLLG
APT10090BFLLG
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT10090BFLLG
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
43963 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT10090BFLLG.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT10090BFLLG พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT10090BFLLG เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT10090BFLLG ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT10090BFLLG ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:1969pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย:TO-247 [B]
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:950 mOhm @ 6A, 10V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ชุด:POWER MOS 7®
สถานะ RoHS:Tube
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:12A (Tc)
โพลาไรซ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:APT10090BFLLG
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:71nC @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:5V @ 1mA
คุณสมบัติ FET:N-Channel
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 1000V (1kV) 12A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):-
ลักษณะ:MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:1000V (1kV)
อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ:298W (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT10090BFLLG

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT1003RBLLG Image APT1003RBLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 การสอบสวน
APT10035JLL Image APT10035JLL Microsemi MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 การสอบสวน
APT100GF60JU3 Image APT100GF60JU3 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 การสอบสวน
APT10035B2FLLG Image APT10035B2FLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX การสอบสวน
APT100F50J Image APT100F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 การสอบสวน
APT100GN120J Image APT100GN120J Microsemi IGBT 1200V 153A 446W SOT227 การสอบสวน
APT100DL60HJ Image APT100DL60HJ Microsemi MOD DIODE 600V SOT-227 การสอบสวน
APT100GN120B2G Image APT100GN120B2G Microsemi IGBT 1200V 245A 960W TMAX การสอบสวน
APT10045JLL Image APT10045JLL Microsemi MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 การสอบสวน
APT1003RKLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 การสอบสวน
APT100GF60JU2 Image APT100GF60JU2 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 การสอบสวน
APT10035B2LLG Image APT10035B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX การสอบสวน
APT10045B2LLG Image APT10045B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX การสอบสวน
APT10090BLLG Image APT10090BLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 การสอบสวน
APT10035LLLG Image APT10035LLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 การสอบสวน
APT100DL60BG Image APT100DL60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 การสอบสวน
APT100GLQ65JU2 Microsemi POWER MODULE - IGBT การสอบสวน
APT100GN120JDQ4 Image APT100GN120JDQ4 Microsemi IGBT 1200V 153A 446W SOT227 การสอบสวน
APT10078BLLG Image APT10078BLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 การสอบสวน
APT10078SLLG Image APT10078SLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK การสอบสวน

ข่าว Latest