ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ไดโอด - Rectifiers - โทนเดียว > APT100DL60BG
APT100DL60BG
APT100DL60BG
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT100DL60BG
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
DIODE GEN PURP 600V 100A TO247
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
55092 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT100DL60BG.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT100DL60BG พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT100DL60BG เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT100DL60BG ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT100DL60BG ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:1.6V @ 100A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด):600V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247
ความเร็ว:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ชุด:-
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-2
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:-55°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:18 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทไดโอด:Standard
คำอธิบายโดยละเอียด:Diode Standard 600V 100A Through Hole TO-247
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):100A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT100DL60BG

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT10078SLLG Image APT10078SLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK การสอบสวน
APT100F50J Image APT100F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 การสอบสวน
APT10045B2LLG Image APT10045B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX การสอบสวน
APT100GN120B2G Image APT100GN120B2G Microsemi IGBT 1200V 245A 960W TMAX การสอบสวน
APT100GLQ65JU2 Microsemi POWER MODULE - IGBT การสอบสวน
APT10045JLL Image APT10045JLL Microsemi MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 การสอบสวน
APT100GF60JU2 Image APT100GF60JU2 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 การสอบสวน
APT100GN120JDQ4 Image APT100GN120JDQ4 Microsemi IGBT 1200V 153A 446W SOT227 การสอบสวน
APT100DL60HJ Image APT100DL60HJ Microsemi MOD DIODE 600V SOT-227 การสอบสวน
APT100GF60JU3 Image APT100GF60JU3 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 การสอบสวน
APT10090BLLG Image APT10090BLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 การสอบสวน
APT100GN60LDQ4G Image APT100GN60LDQ4G Microsemi IGBT 600V 229A 625W TO264 การสอบสวน
APT100GN60B2G Image APT100GN60B2G Microsemi IGBT 600V 229A 625W TMAX การสอบสวน
APT1003RKLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 การสอบสวน
APT1003RBLLG Image APT1003RBLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 การสอบสวน
APT10090BFLLG Image APT10090BFLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 การสอบสวน
APT10035JLL Image APT10035JLL Microsemi MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 การสอบสวน
APT10078BLLG Image APT10078BLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 การสอบสวน
APT10035LLLG Image APT10035LLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 การสอบสวน
APT100GN120J Image APT100GN120J Microsemi IGBT 1200V 153A 446W SOT227 การสอบสวน

ข่าว Latest