Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > APT100GN60LDQ4G
APT100GN60LDQ4G
APT100GN60LDQ4G
Modello di prodotti:
APT100GN60LDQ4G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 600V 229A 625W TO264
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
54926 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.APT100GN60LDQ4G.pdf2.APT100GN60LDQ4G.pdf
Inchiesta

introduzione

APT100GN60LDQ4G è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APT100GN60LDQ4G, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APT100GN60LDQ4G via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APT100GN60LDQ4G con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:1.85V @ 15V, 100A
Condizione di test:400V, 100A, 1 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:31ns/310ns
di scambio energetico:4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-264 [L]
Serie:-
Potenza - Max:625W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-264-3, TO-264AA
Altri nomi:APT100GN60LDQ4GMI
APT100GN60LDQ4GMI-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:Trench Field Stop
carica gate:600nC
Descrizione dettagliata:IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L]
Corrente - collettore Pulsed (Icm):300A
Corrente - collettore (Ic) (max):229A
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per APT100GN60LDQ4G

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
APT100GT60B2RG Image APT100GT60B2RG Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT247 Inchiesta
APT100GN60B2G Image APT100GN60B2G Microsemi IGBT 600V 229A 625W TMAX Inchiesta
APT100S20BG Image APT100S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 Inchiesta
APT100M50J Image APT100M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 Inchiesta
APT100GF60JU2 Image APT100GF60JU2 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 Inchiesta
APT100GN120B2G Image APT100GN120B2G Microsemi IGBT 1200V 245A 960W TMAX Inchiesta
APT100F50J Image APT100F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 Inchiesta
APT100GT60JRDQ4 Image APT100GT60JRDQ4 Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 Inchiesta
APT100GT120JR Image APT100GT120JR Microsemi IGBT 1200V 123A 570W SOT227 Inchiesta
APT100MC120JCU2 Image APT100MC120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP Inchiesta
APT100GT120JRDQ4 Image APT100GT120JRDQ4 Microsemi IGBT 1200V 123A 570W SOT227 Inchiesta
APT100GT120JU3 Image APT100GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 Inchiesta
APT100DL60HJ Image APT100DL60HJ Microsemi MOD DIODE 600V SOT-227 Inchiesta
APT100GN120J Image APT100GN120J Microsemi IGBT 1200V 153A 446W SOT227 Inchiesta
APT100GF60JU3 Image APT100GF60JU3 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 Inchiesta
APT100GT120JU2 Image APT100GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 Inchiesta
APT100GN120JDQ4 Image APT100GN120JDQ4 Microsemi IGBT 1200V 153A 446W SOT227 Inchiesta
APT100GT60JR Image APT100GT60JR Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 Inchiesta
APT100GLQ65JU2 Microsemi POWER MODULE - IGBT Inchiesta
APT100DL60BG Image APT100DL60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 Inchiesta

Latest Notizie