العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - إغبتس - واحدة > APT100GN60LDQ4G
APT100GN60LDQ4G
APT100GN60LDQ4G
رقم القطعة:
APT100GN60LDQ4G
الصانع:
Microsemi
وصف:
IGBT 600V 229A 625W TO264
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
54926 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
1.APT100GN60LDQ4G.pdf2.APT100GN60LDQ4G.pdf
تحقيق

المقدمة

APT100GN60LDQ4G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT100GN60LDQ4G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT100GN60LDQ4G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT100GN60LDQ4G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):600V
VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم:1.85V @ 15V, 100A
اختبار حالة:400V, 100A, 1 Ohm, 15V
تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C:31ns/310ns
تحويل الطاقة:4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
تجار الأجهزة حزمة:TO-264 [L]
سلسلة:-
السلطة - ماكس:625W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-264-3, TO-264AA
اسماء اخرى:APT100GN60LDQ4GMI
APT100GN60LDQ4GMI-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:32 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
نوع المدخلات:Standard
نوع IGBT:Trench Field Stop
بوابة المسؤول:600nC
وصف تفصيلي:IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L]
الحالي - جامع نابض (آي سي إم):300A
الحالي - جامع (IC) (ماكس):229A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لAPT100GN60LDQ4G

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
APT100GT60B2RG Image APT100GT60B2RG Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT247 تحقيق
APT100GN60B2G Image APT100GN60B2G Microsemi IGBT 600V 229A 625W TMAX تحقيق
APT100S20BG Image APT100S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 تحقيق
APT100M50J Image APT100M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 تحقيق
APT100GF60JU2 Image APT100GF60JU2 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 تحقيق
APT100GN120B2G Image APT100GN120B2G Microsemi IGBT 1200V 245A 960W TMAX تحقيق
APT100F50J Image APT100F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 تحقيق
APT100GT60JRDQ4 Image APT100GT60JRDQ4 Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 تحقيق
APT100GT120JR Image APT100GT120JR Microsemi IGBT 1200V 123A 570W SOT227 تحقيق
APT100MC120JCU2 Image APT100MC120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP تحقيق
APT100GT120JRDQ4 Image APT100GT120JRDQ4 Microsemi IGBT 1200V 123A 570W SOT227 تحقيق
APT100GT120JU3 Image APT100GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 تحقيق
APT100DL60HJ Image APT100DL60HJ Microsemi MOD DIODE 600V SOT-227 تحقيق
APT100GN120J Image APT100GN120J Microsemi IGBT 1200V 153A 446W SOT227 تحقيق
APT100GF60JU3 Image APT100GF60JU3 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 تحقيق
APT100GT120JU2 Image APT100GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 تحقيق
APT100GN120JDQ4 Image APT100GN120JDQ4 Microsemi IGBT 1200V 153A 446W SOT227 تحقيق
APT100GT60JR Image APT100GT60JR Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 تحقيق
APT100GLQ65JU2 Microsemi POWER MODULE - IGBT تحقيق
APT100DL60BG Image APT100DL60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 تحقيق

Latest الأخبار