APT100GT60B2RG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT100GT60B2RG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT100GT60B2RG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT100GT60B2RG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT100GT60B2RG
- رقم القطعة:
- APT100GT60B2RG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 600V 148A 500W SOT247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 54914 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT100GT60B2RG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 100A |
| اختبار حالة: | 400V, 100A, 4.3 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 40ns/320ns |
| تحويل الطاقة: | 3.25mJ (on), 3.125mJ (off) |
| سلسلة: | Thunderbolt IGBT® |
| السلطة - ماكس: | 500W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 Variant |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 460nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT NPT 600V 148A 500W Through Hole |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 300A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 148A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT100GT60B2RG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT10DC120HJ | Microsemi | DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 | تحقيق |
 |
APT100GN60LDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 229A 625W TO264 | تحقيق |
 |
APT102GA60B2 | Microsemi | IGBT 600V 183A 780W TO247 | تحقيق |
|
APT100GT120JR | Microsemi | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | تحقيق |
|
APT102GA60L | Microsemi | IGBT 600V 183A 780W TO264 | تحقيق |
|
APT100GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 229A 625W TMAX | تحقيق |
 |
APT100S20BG | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 | تحقيق |
|
APT100GN120JDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | تحقيق |
 |
APT100GLQ65JU2 | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | تحقيق |
 |
APT100GT120JRDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | تحقيق |
|
APT100GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | تحقيق |
|
APT100GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | تحقيق |
|
APT100MC120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP | تحقيق |
|
APT100GN120B2G | Microsemi | IGBT 1200V 245A 960W TMAX | تحقيق |
 |
APT100M50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 | تحقيق |
|
APT100GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | تحقيق |
|
APT100GT60JRDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | تحقيق |
|
APT100GN120J | Microsemi | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | تحقيق |
|
APT100S20LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 | تحقيق |
|
APT106N60B2C6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة