APT100GF60JU2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT100GF60JU2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT100GF60JU2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT100GF60JU2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT100GF60JU2
- رقم القطعة:
- APT100GF60JU2
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 600V 120A 416W SOT227
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 51317 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT100GF60JU2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 100A |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 416W |
| حزمة / كيس: | ISOTOP |
| اسماء اخرى: | APT100GF60JU2MI APT100GF60JU2MI-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| NTC الثرمستور: | Yes |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 12.3nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227 |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 250µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 120A |
| ترتيب: | Single |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT100GF60JU2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT100F50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 | تحقيق |
 |
APT10078BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | تحقيق |
 |
APT100GN120B2G | Microsemi | IGBT 1200V 245A 960W TMAX | تحقيق |
|
APT10045B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | تحقيق |
 |
APT100DL60BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 | تحقيق |
|
APT100GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 229A 625W TMAX | تحقيق |
|
APT100DL60HJ | Microsemi | MOD DIODE 600V SOT-227 | تحقيق |
 |
APT10045JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT100GT120JRDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | تحقيق |
|
APT100GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | تحقيق |
|
APT10090BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | تحقيق |
 |
APT100GLQ65JU2 | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | تحقيق |
|
APT100GF60JU3 | Microsemi | IGBT 600V 120A 416W SOT227 | تحقيق |
|
APT100GT120JR | Microsemi | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | تحقيق |
|
APT100GN120J | Microsemi | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | تحقيق |
 |
APT100GN60LDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 229A 625W TO264 | تحقيق |
|
APT100GN120JDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | تحقيق |
|
APT10090BFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | تحقيق |
 |
APT10078SLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | تحقيق |
|
APT1003RKLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار