APT10045B2LLG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT10045B2LLG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT10045B2LLG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT10045B2LLG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT10045B2LLG
- رقم القطعة:
- APT10045B2LLG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 32844 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APT10045B2LLG.pdf2.APT10045B2LLG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 2.5mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | T-MAX™ [B2] |
| سلسلة: | POWER MOS 7® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 450 mOhm @ 11.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 565W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 Variant |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4350pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 154nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 1000V 23A (Tc) 565W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 23A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT10045B2LLG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT10090BFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | تحقيق |
|
APT10090BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | تحقيق |
 |
APT1003RKLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | تحقيق |
 |
APT10035JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | تحقيق |
|
APT1002RBNG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD | تحقيق |
 |
APT100GF60JU2 | Microsemi | IGBT 600V 120A 416W SOT227 | تحقيق |
 |
APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | تحقيق |
|
APT1001RBN | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD | تحقيق |
|
APT10045JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | تحقيق |
 |
APT100F50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 | تحقيق |
|
APT10021JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | تحقيق |
|
APT100GF60JU3 | Microsemi | IGBT 600V 120A 416W SOT227 | تحقيق |
|
APT1003RBLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | تحقيق |
|
APT100DL60HJ | Microsemi | MOD DIODE 600V SOT-227 | تحقيق |
|
APT10035B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | تحقيق |
|
APT10021JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT10078SLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | تحقيق |
 |
APT100DL60BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 | تحقيق |
|
APT10078BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات