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APT100GT60JRDQ4
- Modello di prodotti:
- APT100GT60JRDQ4
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 148A 500W SOT227
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 28112 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APT100GT60JRDQ4.pdf2.APT100GT60JRDQ4.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.5V @ 15V, 100A |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ISOTOP® |
| Serie: | Thunderbolt IGBT® |
| Potenza - Max: | 500W |
| Contenitore / involucro: | ISOTOP |
| Altri nomi: | APT100GT60JRDQ4MI APT100GT60JRDQ4MI-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Termistore NTC: | No |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: | 5.15nF @ 25V |
| Ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | NPT |
| Descrizione dettagliata: | IGBT Module NPT Single 600V 148A 500W Chassis Mount ISOTOP® |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 50µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 148A |
| Configurazione: | Single |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT100GT60JRDQ4
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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APT100GN60LDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 229A 625W TO264 | Inchiesta |
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APT100M50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 | Inchiesta |
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APT10M09B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | Inchiesta |
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APT100GT60B2RG | Microsemi | IGBT 600V 148A 500W SOT247 | Inchiesta |
 |
APT100GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | Inchiesta |
|
APT102GA60B2 | Microsemi | IGBT 600V 183A 780W TO247 | Inchiesta |
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APT100GT120JR | Microsemi | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | Inchiesta |
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APT100GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 229A 625W TMAX | Inchiesta |
 |
APT100S20BG | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 | Inchiesta |
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APT100MC120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP | Inchiesta |
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APT10M07JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP | Inchiesta |
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APT100GT120JRDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | Inchiesta |
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APT100GN120JDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | Inchiesta |
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APT100S20LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 | Inchiesta |
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APT100GN120J | Microsemi | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | Inchiesta |
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APT10DC120HJ | Microsemi | DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 | Inchiesta |
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APT106N60B2C6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 | Inchiesta |
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APT102GA60L | Microsemi | IGBT 600V 183A 780W TO264 | Inchiesta |
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APT100GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | Inchiesta |
|
APT100GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | Inchiesta |
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